FDB8880

Hersteller-Teilenummer:	FDB8880
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
Datenblätte:	FDB8880.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	45448 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerFDB8880
HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus45448 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäuseTO-263AB
SeriePowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)55W (Tc)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / GehäuseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere NamenFDB8880-ND
FDB8880TR
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
detaillierte BeschreibungN-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C11A (Ta), 54A (Tc)
FDB8880 Einzelheiten PDF [English]FDB8880 PDF - EN.pdf

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